你好,欢迎光临ICGOGO 电子商城! 登录 免费注册 QQ登录
高级搜索 热门搜索: 14D471K 7D180K 10D561
购物车(0)
查看购物车
  • 您的购物车还没有产品!
所有分类
全国咨询热线:
0755-83261855
当前位置: 首页 > 电子元器件应用文章 > 电子原厂专区 > TI的600V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能
浏览历史
  • TI的600V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能
  • 作者:ICGOGO | 发布时间:2016-05-23
  • 分享到:

 基于数十年的电源管理创新经验,德州仪器 (TI) 近日宣布推出一款600V氮化镓 (GaN) 70 mÙ场效应晶体管 (FET) 功率级工程样片,从而使TI成为首家,也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比,这款全新的12A LMG3410功率级与TI的模拟与数字电力转换控制器组合在一起,能使设计人员创造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中都特别重要。
  “通过3百万小时以上的可靠测试,LMG3410使电源设计人员对GaN的无限潜能充满信心,并且这也他们用之前认为根本不可行的方法重新思考电源架构和系统,”TI高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses说,“随着TI在生产制造能力和大量系统设计专业知识方面的声誉不断扩大,全新的功率级成为TI迈向GaN市场的重要一步。”
  借助集成驱动器和零反向恢复电流等特性,LMG3410提供可靠的性能,特别是在硬开关应用中更是如此;在这些应用中,它能够极大地降低开关损耗,最多能降低80%。与独立GaN FET不同,易于使用的LMG3410集成了针对温度、电流和欠压闭锁 (UVLO) 故障保护的内置智能化等功能。
经验证的制造和封装专业技术
LMG3410是第一款包含了由TI生产的GaN FET的半导体集成电路 (IC)。基于在制造和工艺领域多年形成的专业技术,TI在其硅技术兼容的工厂内创造出了GaN器件,并且通过不断的实践,使这些器件的质量超过了电子元件工业联合会 (JEDEC) 标准的要求,以确保GaN在严酷的使用环境下的可靠性和稳健耐用性。易于使用的封装将有助于增加功率因数控制器 (PFC) AC/DC转换器、高压DC总线转换器和光伏 (PV) 逆变器等应用中GaN电源设计的部署和采用率。

LMG3410的主要特点和优势
• 使功率密度加倍。与基于硅材料的先进升压功率因数转换器相比,600V功率级在图腾柱PFC中的功率损耗还要低50%。减少的物料清单 (BOM) 数量和更高的效率最多可以将电源的尺寸减少50%。
• 减少封装寄生电感。与分立式GaN解决方案相比,全新器件的8mmx8mm四方扁平无引线 (QFN) 封装减少了功率损耗、组件电压应力和电磁干扰 (EMI)。
• 可实现全新拓扑。GaN的零反向恢复电荷有益于全新开关拓扑,其中包括图腾柱PFC和LLC拓扑,以增加功率密度和效率。
拓展GaN生态系统
为了能够让设计人员在他们的电源设计中利用GaN技术所具有的优势,TI还推出了全新的产品,以扩展其GaN生态系统。LMG5200POLEVM-10,一个48V至1V负载点 (POL) 评估模块,将包括与80V LMG5200 GaN FET功率级配对使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。这个解决方案可以在工业、电信和数据通信应用中实现高达92%的效率。

 

 

更多相关电子资讯请关注ICGOGO公众号

 

您暂时没有评论
总计 0 个记录,共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页
评论
用户名: 匿名用户
Email:
评分:    
验证码: captcha
ICGOGO电子网_LOGO
新手指南 注册登录 我的ICGOGO 会员等级 免责声明
线上采购 查找产品 在线下单 在线询价 BOM表采购指南 搜索指南
配送方式 支付方式 配送方式 验货条例 货期说明
帮助信息 发票须知 货物退换 投诉建议 采购须知
服务热线:0755-83261855
Email: jayle@icgogo.com
办公地址:深圳市福田区华强北街道都会100大厦B座24R
仓库地址: 汕头市潮阳区贵屿渡头工业区草南路106号2号仓
首页 用户中心 电子技术支持 最新电子资讯 电子元器件应用文章
© 2012 - 2018 深圳市万佳尔电子有限公司 版权所有,并保留所有权利。
ICP备案证书号:粤ICP备15081675号-1
ICGOGO电子网_LOGO
扫一扫,关注微信公众号
0755-83261855
服务时间:
9:00-18:00(工作日)
周一至周六为工作日